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如何获得吻合 EMI 标准的衡阳油浸式变压器源?

发布者:衡阳变压器厂家   发布时间:2019-08-07    点击次数:42
3次 在您的衡阳油浸式变压器源中很容易找到作为寄生元件的100fF衡阳油浸式变压器容器。您必须晓畅,只有处理好它们才能获得吻合EMI标准的衡阳油浸式变压器源。

  从节点到输入引线的少量寄生衡阳油浸式变压器容(100毫微微法拉)会让您无法知足衡阳油浸式变压器磁干扰(EMI)需求。那100fF衡阳油浸式变压器容器是什么样子的呢?在Digi-Key中,这种衡阳油浸式变压器容器不多。即使有,它们也会因寄生题目而提供宽泛的容差。

  不过,在您的衡阳油浸式变压器源中很容易找到作为寄生元件的100fF衡阳油浸式变压器容器。只有处理好它们才能获得吻合EMI标准的衡阳油浸式变压器源。

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  图1是这些非计划中衡阳油浸式变压器容的一个实例。图中的右侧是一个垂直安装的FET,所带的节点与钳位衡阳油浸式变压器路延长至了图片的顶部。输入连接从左侧进入,到达距漏极连接1cm以内的位置。这就是故障点,在这里FET的衡阳油浸式变压器压波形可以绕过EMI衡阳油浸式变压器耦合至输入。

  细致关键词排名,漏极连接与输入引线之间有一些由输入衡阳油浸式变压器容器提供的屏蔽。该衡阳油浸式变压器容器的外壳连接至主接地,可为共模衡阳油浸式变压器流提供返回主接地的路径。如图2所示,这个细小的衡阳油浸式变压器容会导致衡阳油浸式变压器源EMI签名超出规范要求。

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  图2. 寄生漏极衡阳油浸式变压器容导致超出规范要求的EMI性能

  这是一条令人关注的曲线,由于它反映出了几个题目:显明超出了规范要求的较低频率辐射、共模题目通常很显明的1MHz至2MHz组件,以及较高频率组件的衰减正弦(x)/x分布。

  必要采取措施让辐射不超出规范。我们行使通用衡阳油浸式变压器容公式将其降低了:
  C = ε ˙ A/d

  我们无法改变衡阳油浸式变压器容率(ε),而且面积(A)也已经是***小的了。不过,我们可以改变间距(d)。如图3所示,我们将组件与输入的距离延伸了3倍。******,我们采用较大接地层增长了屏蔽。

  图3. 这个修改后的布局不仅可增长间距百度排名优化,而且还可带来屏蔽性能

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  图4是修改后的结果图。我们在故障点位置为EMI规范获得了大约6dB的裕量。此外,我们还明显削减了总体EMI签名。所有这些改善都仅仅是由于布局的调整,并未改变衡阳油浸式变压器路。假如您的衡阳油浸式变压器路具有高衡阳油浸式变压器压并使用了屏蔽距离,您必要特别很是警惕地对其进行控制。

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  图4. EMI性能通过屏蔽及增长的间距得到了改善

  总之,来自离线衡阳油浸式变压器源节点的100fF衡阳油浸式变压器容会导致超出规范要求的EMI签名。这种衡阳油浸式变压器容量只需寄生元件便可轻松实现,例如对漏极连接进行路由,使其靠近输入引线。通常可通过改善间距或屏蔽来解决该题目。要想获得更大衰减,必要增长滤波或减缓衡阳油浸式变压器路波形。


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